认知矫正治疗前后慢性精神分裂症患者功能磁共振成像的对照研究

    认知矫正治疗能改善精神分裂症患者工作记忆相关脑区的活动。 精神分裂症主要表现为狂燥不安、偏执、抑郁、恐惧焦虑、幻听幻觉、敏感多疑、强迫急躁、思维紊乱、胡言乱语、乱摔东西、冲动伤人、不能控制自己等。

    中华精神科杂志一月第一期刊登一项研究，研究者对10例病情稳定的慢性精神分裂症患者进行为期6个月的认知矫正治疗，分别于治疗前后进行韦克斯勒记忆量表（WMS）测查及功能磁共振成像（fMRI）测量。探讨认知矫正治疗对精神分裂症患者工作记忆相关脑区活动的影响。 北京大学精神卫生研究所谭淑平等研究人员研究显示，（1）WMS测查：治疗后再认[（8．11±4．34）分]和再生[（10．22±3．35）分]以及Benton错误[（3．75±2．92）分]均较治疗前[分别为（5．78±2．95）分、（8．56±3．21）分和（8．00±6．28）分]改善，均P〈0．05。（2）fMRI：治疗前后的反应时和正确率比较，差异无统计学意义（P〉0．05）。治疗后在高负荷条件下，背侧前额叶皮质（DLPFC）区域（Brodmann46区）的激活范围（x，y，z=-51，36，15；k=40，t=7．21）小于治疗前的激活范围（x，Y，z=-48，24，24，k=154，t=12．72），治疗前后DLPFC区域激活（x，y，z=-24，36，18，k=12，t=3．75）的差异有统计学意义（P〈0．005）；在低负荷条件下，治疗前后DLPFC区域激活的差异无统计学意义（P〉0．05）。 因此可见认知矫正治疗能改善精神分裂症患者工作记忆相关脑区的活动。